HFS9N50 和 FDPF10N50FT 是两款常见的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压、高电流的应用场合,例如电源管理、开关电源(SMPS)、电机控制以及各类功率转换设备。这两款器件均具备高击穿电压和较低的导通电阻特性,以满足高效率功率转换的需求。
HFS9N50:
- 漏源电压 Vds:500V
- 漏极电流 Id:9A
- 导通电阻 Rds(on):0.33Ω(最大)
- 栅极阈值电压 Vgs(th):2V~4V
- 功耗(Pd):150W
- 封装形式:TO-220
FDPF10N50FT:
- 漏源电压 Vds:500V
- 漏极电流 Id:10A
- 导通电阻 Rds(on):0.28Ω(最大)
- 栅极阈值电压 Vgs(th):2V~4V
- 功耗(Pd):175W
- 封装形式:TO-220
HFS9N50 特性:
该器件是一款N沟道增强型MOSFET,具有较高的耐压能力和良好的导通性能。其最大漏源电压为500V,可广泛用于中高功率应用。HFS9N50的导通电阻为0.33Ω,在高电流负载下能够有效降低导通损耗。此外,该器件具有良好的热稳定性和较高的可靠性,适合在高温环境下工作。HFS9N50采用TO-220封装,便于散热和安装。
FDPF10N50FT 特性:
FDPF10N50FT是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的高性能N沟道MOSFET,具有更低的导通电阻(Rds(on)最大为0.28Ω),可支持高达10A的连续漏极电流。该器件采用先进的平面技术制造,具备优良的开关性能和热稳定性。FDPF10N50FT的TO-220封装形式使其易于集成到各种功率电路中,并且具备良好的散热能力。该器件还具有较高的耐用性和抗过载能力,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和各种功率控制电路。
HFS9N50 主要用于以下应用场景:
? 开关电源(SMPS)
? 电源适配器
? 电池充电器
? 电机控制电路
? 照明系统(如镇流器)
? DC-DC转换器
FDPF10N50FT 同样适用于类似的高功率场景,包括:
? 电源管理模块
? 高频功率转换器
? 工业自动化设备
? 电机驱动器
? 不间断电源(UPS)
? 电信和服务器电源系统
HFS9N50:STF9N50M、FDPF9N50
FDPF10N50FT:STF10N50、HFS10N50