类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　脉冲漏极电流（Idm）：32A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3V ~ 5V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：370pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：快恢复
　　最大功耗（Pd）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220/TO-220FP

HFS8N65U采用安森美独有的超级结（Super Junction）技术，这种结构通过交替排列的P型和N型柱状区域来显著提高器件的击穿电压，同时大幅降低导通电阻（Rds(on)）。相较于传统的平面型或沟槽型MOSFET，超级结技术能够在相同芯片面积下实现更高的电压阻断能力和更低的能量损耗。这一特性使得HFS8N65U在650V等级的功率MOSFET中具备优异的性能表现，尤其适合用于高频率、高效率的开关电源设计。该技术还有效提升了器件的dv/dt抗扰能力，减少了误触发的风险，提高了系统在复杂电磁环境下的稳定性。
　　该器件具有优化的动态参数，包括较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这直接降低了开关过程中的驱动损耗和开关损耗。在高频工作条件下，如PFC升压转换器或LLC谐振变换器中，这些特性有助于提升整体能效，减少散热需求，从而允许更紧凑的电源设计。同时，HFS8N65U的输出电容（Coss）较小且非线性弱，有利于实现软开关操作，进一步降低开关应力和电磁干扰（EMI）。
　　热性能方面，HFS8N65U的封装设计提供了良好的热传导路径，TO-220封装可配合散热片使用，有效将芯片热量传导至外部环境，确保长时间满载运行时的温度控制。其高达150°C的最大结温允许在高温环境中稳定工作，增强了系统在恶劣条件下的可靠性。此外，该器件具备较强的雪崩能量耐受能力，在突发电压过冲或负载突变情况下仍能保持功能完整性，提升了整个电源系统的耐用性。综合来看，HFS8N65U在电气性能、热管理和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电源系统中的理想选择。

HFS8N65U广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在需要高电压阻断能力和高效率转换的场合。其典型应用场景包括离线式反激变换器（Flyback Converter）和连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路，常用于适配器、充电器、工业电源和服务器电源等设备中。由于其650V的额定电压，能够满足全球通用交流输入（90VAC ~ 265VAC）下的安全裕量要求，非常适合用于宽电压输入的AC-DC转换设计。
　　在LED照明驱动电源中，HFS8N65U可用于隔离式或非隔离式拓扑结构，提供稳定的直流输出并确保高功率因数和低总谐波失真（THD），满足能源之星等能效标准。此外，在光伏微型逆变器和储能系统中，该器件可用于DC-DC升压环节，将太阳能板输出的低压直流高效升压至母线电压，为后续逆变阶段提供支持。
　　工业自动化设备、医疗电源和通信电源模块也是HFS8N65U的重要应用领域。在这些系统中，电源需具备高可靠性、长寿命和良好的温度适应性，而HFS8N65U凭借其稳定的电气特性和出色的热性能，能够满足严苛的工业级要求。同时，该器件也适用于待机电源（standby power supply）和辅助电源（auxiliary rail），为系统主控单元提供稳定供电。总之，HFS8N65U凭借其高性能和广泛适用性，已成为多种电力电子系统中不可或缺的关键元器件。

STP8NK65Z
　　FQP8N65L
　　KSB1293YTMC
　　IPD80N65S