时间：2025/9/12 14:33:12
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HFS8N60S 是一款由Hefei Semiconductor（合肥芯微电子）生产的高电压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统。该器件采用先进的高压工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性。HFS8N60S适用于开关电源（SMPS）、LED照明驱动、电机控制、DC-DC转换器等应用场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：8A（25°C时）
导通电阻(Rds(on))：典型值0.8Ω（最大1.0Ω）
栅极电压(Vgs)：±30V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、DPAK（表面贴装）等
功率耗散(Pd)：50W（TO-220）
HFS8N60S具备多项高性能特性，首先其高耐压能力达到600V，使其适用于多种高电压输入环境下的功率转换应用。其导通电阻Rds(on)较低，典型值为0.8Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定工作，并具备较强的抗过载和短路能力。HFS8N60S的栅极驱动电压范围宽，支持±30V，提高了其在不同控制电路中的兼容性。
HFS8N60S广泛应用于各种电源管理与功率控制领域。在开关电源（SMPS）中，它常用于AC-DC转换电路中的主开关器件，适用于适配器、充电器和电源模块的设计。
FQP8N60C, STF8NM60ND, IRF8N60BFD, FQA8N60C, SFP8N60S
