HFS5N60 时间：2025/8/11 3:56:48 阅读：14

HFS5N60是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET，常用于高电压、高效率的功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适合在电源管理、DC-DC转换器、电池充电器和电机控制等电路中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID）：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大2.0Ω（在VGS=10V时）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK等
　　功耗（PD）：50W

特性

HFS5N60具备多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V）使其适用于多种高压电路环境，同时其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定工作，减少热失效的风险。
　　在封装方面，HFS5N60采用TO-220或D2PAK等标准封装形式，便于安装和散热管理，适用于工业级和消费类电子产品。其栅极驱动电压范围适中（通常为10V），与常见的驱动IC兼容，简化了电路设计和集成过程。
　　该器件的开关特性也较为优异，具有快速开关能力，减少了开关损耗，提高了系统的响应速度。此外，HFS5N60具备较高的抗过载能力和良好的短路耐受性，能够在恶劣的工作条件下提供较高的可靠性。

应用

HFS5N60广泛应用于多种功率电子设备中，包括但不限于以下领域：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动控制电路、电池充电器、LED照明驱动、逆变器、UPS（不间断电源）系统、家电控制电路以及工业自动化设备。由于其高耐压和良好的导通特性，该MOSFET特别适用于需要在高压环境下进行高效能功率控制的应用场景。