时间：2025/8/25 1:09:44
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HFS13N50S 和 FDPF13N50 是两款常见的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它们主要用于高电压、高功率的开关应用。这两款器件在参数上具有较高的相似性，通常用于替代彼此。HFS13N50S是由Haoshi公司制造，而FDPF13N50则是由Fairchild（飞兆半导体）公司生产的型号，两者在电气性能、封装形式以及应用场景上具有良好的兼容性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）：13A
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.45Ω（最大值）
功率耗散（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220FP
HFS13N50S 和 FDPF13N50 均具备出色的导通性能和较低的导通损耗，适用于高效率的电源转换系统。它们的高耐压能力（500V）使其在高压开关应用中表现优异。
该系列MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具备较高的稳定性和可靠性。此外，其低导通电阻（Rds(on)）特性可以有效降低功率损耗，提升整体系统效率。
由于采用了TO-220FP封装，这些器件具有良好的散热性能，适合在高功率环境下运行。同时，±20V的栅源电压容限也增强了其在不同驱动电路中的适应能力。
两款MOSFET在开关速度方面表现良好，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机控制和LED照明驱动等场景。
这两款MOSFET主要应用于电源管理系统、开关电源（SMPS）、逆变器、马达控制电路、LED照明驱动电路、电池充电器、不间断电源（UPS）以及各种高电压和高功率电子设备中。它们在工业自动化、消费电子、汽车电子等领域也有广泛应用。
HFS13N50S可替代FDPF13N50，反之亦然；此外，其他兼容型号包括STF13N50M、IRF13N50等。
