型号：HFP8N65U
　　制造商：onsemi (安森美)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　连续漏极电流(Id)：8A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：32A
　　导通电阻(Rds(on))：1.2Ω max @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：3V ~ 5V
　　输入电容(Ciss)：1100pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：290pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：45ns
　　最大功耗(Pd)：125W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220FP

HFP8N65U采用超级结（Super Junction）技术，显著提升了器件在高压应用中的性能表现。该技术通过在漂移区构建交替的P型和N型柱状结构，实现了更低的导通电阻与更高的击穿电压之间的平衡，从而大幅提高了器件的品质因数（FOM = Rds(on) × Qg）。这种结构使得HFP8N65U在650V等级的MOSFET中具备极低的Rds(on)，有效减少了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体效率，特别适用于高密度、高能效要求的应用场景。
　　该器件具有出色的开关特性，包括较低的总栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使其在高频开关操作中表现出色。低Qg意味着驱动电路所需提供的能量更少，从而降低了驱动损耗并简化了驱动设计；而低Qgd则有助于抑制开关过程中因寄生电容引起的振荡和误触发，提高系统稳定性。此外，HFP8N65U的输出电容（Coss）较小，进一步减少了开关切换时的能量损失，有利于实现软开关或准谐振控制策略，提升轻载效率。
　　在可靠性方面，HFP8N65U具备较强的雪崩耐量和抗短路能力，能够在异常工况下承受一定的瞬态过压和过流冲击，增强了电源系统的鲁棒性。其热阻特性良好，TO-220FP封装提供了较大的散热面积，便于通过散热片将热量传导至外部环境，避免因温升过高导致器件老化或失效。器件还集成了体二极管，具备较快的反向恢复速度（trr约为45ns），可减少反向恢复电流尖峰，降低EMI噪声水平，适用于对电磁兼容性要求较高的场合。
　　HFP8N65U的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适应各种严苛环境下的运行需求。其制造工艺符合AEC-Q101标准（适用于汽车级分立器件），虽然该型号主要面向工业与消费类市场，但其可靠性和一致性也使其在部分车载辅助电源中得到应用。此外，器件通过了UL、CSA等国际安全认证，满足全球主流市场的准入要求。

HFP8N65U广泛应用于各类中等功率的开关电源系统中，尤其是在需要高效率、小体积和高可靠性的电源设计中表现突出。典型应用场景包括手机、笔记本电脑、平板电脑等设备的AC-DC适配器与充电器，这类产品对空载功耗和满载效率有严格要求，HFP8N65U凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够有效提升能效等级，满足能源之星、CoC Tier 2等国际能效规范。
　　在LED照明领域，特别是大功率LED驱动电源中，HFP8N65U可用于隔离式反激或单级PFC拓扑结构中作为主开关管，提供稳定的高压开关功能。其良好的热稳定性和较长的寿命有助于延长灯具的整体使用寿命。此外，在家用电器如电视、音响、路由器等设备的内置开关电源（SMPS）中，该器件常被用作主功率开关，支持待机电源和主电源两级架构，兼顾待机低功耗与主电源高效输出的需求。
　　工业控制与自动化设备中的辅助电源模块也大量采用HFP8N65U，因其具备较强的抗干扰能力和环境适应性，可在较宽的温度范围和电网波动条件下稳定运行。在太阳能微逆变器、小型UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）的辅助供电单元中，该MOSFET同样发挥着关键作用。此外，由于其封装便于安装和散热，适合手工焊接与自动化生产，因此在中小批量生产和维修替换中也具有较高的实用价值。

STP8NK65ZFP
　　FQP8N65C
　　KSE8N65U
　　2SK3562
　　IPD8N65E