型号：HFP10N60S
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：10 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：40 A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10 V）：750 mΩ
　　导通电阻（RDS(on) typ @ VGS = 10 V）：650 mΩ
　　栅极电荷（Qg typ）：58 nC
　　输入电容（Ciss typ）：1150 pF
　　输出电容（Coss typ）：190 pF
　　反向恢复时间（trr typ）：56 ns
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 4.5 V
　　最大功耗（PD）：125 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：TO-220

HFP10N60S具备多项关键特性，使其在中高功率开关电源应用中表现卓越。首先，其600V的高击穿电压确保了在离线式电源设计中的安全裕度，能够承受来自电网的瞬态过压冲击，提高了系统的可靠性。其次，该器件采用ST自主研发的超级结（Super Junction）结构，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而减小了导通损耗，提升了整体能效。尽管其最大RDS(on)为750mΩ，但在10A工作电流下仍能保持较低的温升，配合合适的散热设计可实现长时间稳定运行。
　　HFP10N60S具有优化的动态参数，包括较低的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，这使得其在高频开关环境下（如几十kHz至数百kHz）具有更快的开关速度和更小的驱动损耗。这对于提升SMPS的功率密度至关重要。此外，其体二极管的反向恢复时间较短（典型值56ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），避免了因二极管拖尾电流引起的额外开关损耗和电磁干扰（EMI）问题，特别适用于准谐振反激式变换器（QR Flyback）。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，最大功耗可达125W，结温范围从-55°C到+150°C，适应工业级和消费级各种严苛环境。TO-220封装提供了优良的电气隔离和散热能力，便于安装在标准散热片上。同时，器件符合RoHS环保要求，并通过了多项国际安全认证，适合在全球范围内推广应用。最后，HFP10N60S具有较强的抗雪崩能力和稳健的栅极氧化层设计，增强了在异常工况下的耐用性，是可靠电源设计的理想选择。

HFP10N60S广泛应用于多种中等功率的电力电子系统中，尤其是在需要高效能和高电压操作的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS），如台式电脑、服务器和工业设备的主电源单元，其中它作为主开关管用于反激式或正激式拓扑结构。此外，该器件也常见于离线式AC-DC转换器，支持通用输入电压范围（85~265V AC），适用于全球不同地区的电网标准。在LED照明领域，HFP10N60S被用于高亮度LED驱动电源，特别是在恒流输出设计中，提供稳定的能量转换效率。
　　在家电产品中，如空调、洗衣机和微波炉的内置电源模块中，HFP10N60S凭借其高耐压和良好热性能，保障了长期运行的稳定性。同时，它也被用于电子镇流器和冷阴极荧光灯（CCFL）逆变器等照明控制系统中，实现高频交流输出。在适配器与充电器市场，尤其是大功率笔记本电脑充电器和多口USB-PD电源中，该MOSFET有助于实现小型化和高效率的目标。
　　除此之外，HFP10N60S还可用于太阳能微逆变器、不间断电源（UPS）以及小型电机驱动电路中的辅助电源部分。由于其具备较强的抗干扰能力和可靠的开关特性，即使在负载波动频繁或输入电压不稳的情况下也能维持稳定工作。总之，凡是涉及600V级别、10A左右开关电流的应用场景，HFP10N60S都是一个成熟且值得信赖的解决方案。

STP10NK60ZFP, STP10NM60FD, FQP10N60C, IRFGB30