型号：HFD5N60U
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：600V
　　栅源电压VGS：±30V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：5A
　　脉冲漏极电流IDM：20A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：2.2Ω
　　导通电阻RDS(on)（typ @ VGS=10V）：1.8Ω
　　栅极阈值电压VGS(th)：2~4V
　　输入电容Ciss：750pF（@VDS=25V）
　　输出电容Coss：150pF（@VDS=25V）
　　反向传输电容Crss：5pF（@VDS=25V）
　　开启延迟时间td(on)：25ns
　　关断延迟时间td(off)：60ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

HFD5N60U具备优异的电气特性和可靠性设计，其最大漏源击穿电压高达600V，能够满足大多数离线式开关电源的设计需求，尤其是在全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下的反激式（Flyback）拓扑结构中表现出色。该器件的导通电阻在VGS=10V时典型值仅为1.8Ω，最大不超过2.2Ω，这在同等级别的600V MOSFET中属于较低水平，有效减少了导通期间的I2R损耗，提高了电源转换效率。其栅极电荷Qg较低，通常在25nC左右，意味着驱动电路所需的驱动功率较小，有利于简化驱动设计并降低控制芯片的负载。
　　该MOSFET具有良好的开关特性，开启延迟时间和关断延迟时间分别约为25ns和60ns，配合较小的反向传输电容Crss（约5pF），可以实现快速的开关响应，减少开关过程中的重叠损耗，进一步提升高频工作下的能效表现。同时，其内部寄生二极管具有一定的反向恢复能力，虽然不推荐用于硬开关续流路径，但在轻载或特定工况下仍可提供基本的保护功能。
　　HFD5N60U采用TO-220F封装，带有金属散热片，可通过PCB接地或加装散热器实现高效散热，热阻RθJC（结到壳）约为1.5°C/W，确保在高功率密度应用中也能维持安全的工作温度。器件通过了多项工业级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和高温高压循环等，确保长期使用的稳定性。此外，该产品符合RoHS环保要求，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。

HFD5N60U主要应用于各类中低功率开关电源系统，特别适合于20W至100W范围内的AC-DC电源模块。常见应用场景包括LED恒流/恒压驱动电源，尤其是用于户外照明、商业照明和家用LED灯具中的隔离式反激电源拓扑。在小功率适配器领域，如手机充电器、路由器电源、智能家居设备供电单元中，该器件凭借其高效率和高可靠性成为主流选择之一。此外，它也广泛用于工业控制电源、仪表电源、待机辅助电源（standby power supply）以及小型逆变器和UPS系统中。
　　在设计上，HFD5N60U常与电流模式PWM控制器（如OB2263、SG6848、TNY系列等）配合使用，构成完整的初级侧开关电路。其稳定的阈值电压和低驱动需求使其易于与这些控制器直接接口，无需额外的驱动缓冲电路。在反激变换器中，该MOSFET作为主开关元件，负责将直流高压斩波为高频脉冲，通过变压器实现能量传递和电压变换。得益于其良好的雪崩能量耐受能力，即使在异常工作条件（如输出短路或开环）下，也能在一定程度上抵抗电压尖峰冲击，提高系统鲁棒性。
　　此外，HFD5N60U还可用于DC-DC升压或降压变换器中的主开关元件，特别是在输入电压较高的工业直流系统中（如200VDC以上）。由于其封装具备良好的绝缘性能（TO-220F带绝缘片），可用于需要电气隔离的安装方式，避免散热器带电问题，提升安全性。总体而言，HFD5N60U是一款性价比高、通用性强的高压MOSFET，适用于多种对效率、成本和可靠性有综合要求的应用场景。

FQA5N60C, KF5N60, STP5NK60ZFP, 2SK3562