型号：HFD5N60S
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：20A
　　功耗（Pd）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.2Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：2~4V
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

HFD5N60S采用了先进的平面条形沟槽技术，这种工艺不仅提高了器件的电流处理能力，还显著降低了单位面积上的导通电阻，使得在高电压环境下仍能保持较低的导通损耗，从而提升整体电源转换效率。该MOSFET具有优异的开关速度，得益于其较低的输入电容和输出电容，能够有效减少开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关电源设计。其内部结构经过优化，增强了雪崩击穿耐受能力，能够在瞬态过压条件下保护自身不受损坏，提高系统的鲁棒性。此外，该器件的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了反向恢复电荷（Qrr），避免了因反向恢复引起的电磁干扰和额外功耗，这对于桥式电路或连续导通模式下的PFC电路尤为重要。
　　热稳定性方面，HFD5N60S具备良好的热阻特性，结合TO-220封装的自然散热能力，可在较高环境温度下长期稳定运行。器件的栅极氧化层经过严格工艺控制，确保了栅源电压耐受能力达到±30V，防止因驱动信号波动导致的栅极击穿。同时，其阈值电压范围适中（2~4V），便于与常见的PWM控制器匹配使用，无需复杂的驱动电路即可实现快速开启与关断。HFD5N60S还具备较强的抗噪声干扰能力，适用于电磁环境复杂的工业应用场景。由于采用无铅封装和符合RoHS标准的材料体系，该产品满足现代电子产品对环保法规的要求，适用于出口型或绿色认证产品设计。

HFD5N60S广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，尤其是在需要高耐压和高效率的场景下表现突出。典型应用包括通用AC-DC适配器、充电器电源模块、LED恒流驱动电源以及小型逆变器设备。在离线式反激变换器（Flyback Converter）中，HFD5N60S常被用作主开关管，利用其600V耐压能力直接连接整流后的市电母线电压，实现高效的能量传递。在有源功率因数校正（PFC）电路中，该器件可用于升压斩波拓扑结构，帮助改善输入电流波形，提高功率因数并降低谐波失真。此外，它也适用于DC-DC变换器如半桥或正激拓扑，特别是在工业控制电源、网络通信设备电源单元中得到广泛应用。
　　在家电领域，HFD5N60S可用于空调、洗衣机等变频电机控制电路中的辅助电源部分。由于其具备良好的雪崩能力和抗冲击特性，也可用于存在感性负载切换的场合，如继电器驱动或电磁阀控制电路中的保护开关元件。在太阳能微型逆变器或储能系统的小型化电源模块中，该MOSFET凭借其高效率和紧凑封装，有助于减小整体体积并提升系统能效。此外，由于其封装易于安装且兼容性强，支持手工焊接与自动化贴装，因此非常适合批量生产环境下的应用需求。

FQP5N60S
　　STP5NK60ZFP
　　KP5N60S
　　2SK3562