时间：2025/8/19 5:23:09
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HFC0500GSZ是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高频率和高效率的开关应用。这款晶体管设计用于需要低导通电阻、快速开关速度和高功率密度的场景，如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。HFC0500GSZ采用先进的沟槽技术，以提供卓越的性能和可靠性，同时其封装设计使其适合于表面贴装技术（SMT）生产流程。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：13A（在25°C）
导通电阻（RDS(ON)）：0.55Ω @ VGS = 10V
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252
功率耗散（PD）：125W
HFC0500GSZ具有多个关键特性，使其在各种应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）可显著减少导通损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件具有快速的开关特性，使其非常适合高频操作，从而减小了外部滤波元件的尺寸。该MOSFET的高耐压能力（500V VDS）允许其在高压环境中可靠运行。其坚固的封装结构提供了良好的热管理和机械稳定性，确保在恶劣环境下的长期可靠性。此外，HFC0500GSZ的工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），使其适用于各种工业和消费类应用。最后，该器件的栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计，并减少了驱动损耗。
HFC0500GSZ MOSFET主要用于高电压和高效率的开关电路中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）、负载开关和工业控制设备。此外，它也适用于LED照明驱动器、充电器和适配器等电源转换系统。由于其高耐压和低导通电阻，该器件在光伏逆变器和储能系统等新能源应用中也具有良好的性能表现。在需要高可靠性和高效率的场合，HFC0500GSZ是一个理想的选择。
STF12N50M, FQA13N50C, 2SK2545, 2SK1530
