HFA200NJ60C 时间：2025/12/26 20:27:59 阅读：14

HFA200NJ60C是一款由安森美（onsemi）生产的高电压、高速N沟道MOSFET，专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于需要高效能功率转换的场合。HFA200NJ60C的最大漏源击穿电压为600V，能够承受较高的电压应力，适合在高压电源系统中使用。其封装形式为TO-220，具备良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以实现有效散热。该MOSFET广泛应用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等电力电子设备中。由于其优化的栅极电荷特性和较低的输出电容，HFA200NJ60C能够在高频条件下保持较低的开关损耗，从而提升整体系统的效率。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。HFA200NJ60C符合RoHS环保标准，并通过了相关的工业级认证，确保其在严苛工作环境下的长期稳定运行。

参数

型号：HFA200NJ60C
　　制造商：onsemi（安森美）
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大漏极电流（Id）：8.5 A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：34 A
　　最大功耗（Pd）：200 W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.33 Ω（典型值，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：3.0 V ~ 5.0 V
　　栅极电荷（Qg）：75 nC（典型值，Vds=480V, Id=8.5A）
　　输入电容（Ciss）：1300 pF（典型值，Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：190 pF（典型值，Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：35 ns（典型值）
　　二极管正向电压（Vf）：1.45 V（If=8.5A）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

HFA200NJ60C具备出色的开关特性，这使其在高频开关电源中表现出色。其栅极电荷（Qg）较低，仅为75nC左右，在高频率操作下显著减少了驱动电路所需的能量，降低了驱动损耗，同时加快了开关速度。该器件的输出电容（Coss）也经过优化，有助于减少关断过程中的能量损耗，进一步提高系统效率。此外，HFA200NJ60C采用了先进的平面MOSFET工艺，实现了更高的单元密度，从而在相同封装尺寸下提供了更低的导通电阻（Rds(on)），典型值为0.33Ω，这意味着在传导大电流时产生的焦耳热更少，提高了功率转换效率并降低了对散热系统的要求。该器件还具有较强的抗雪崩能力，能够在发生意外过压或感性负载突变时吸收一定的能量而不致损坏，增强了系统的鲁棒性。其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr约35ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），避免了因二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰问题，特别适用于硬开关拓扑如升压变换器或桥式电路。HFA200NJ60C的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种恶劣环境条件，且TO-220封装具备良好的热传导性能，可通过外接散热片有效管理温升。所有这些特性共同确保了其在工业电源、光伏逆变器、UPS系统等关键应用中的高可靠性和长寿命。
　　

应用

HFA200NJ60C主要应用于需要高电压、高效率开关性能的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关器件，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升能效。在离线式反激变换器或正激变换器中，该MOSFET可工作于数百kHz的频率范围，满足现代电源小型化和高效化的需求。此外，它也被广泛用于不间断电源（UPS）系统中的DC-AC逆变环节，负责将直流母线电压转换为交流输出，其高耐压能力和良好热稳定性保障了系统在长时间运行下的可靠性。在可再生能源领域，如太阳能光伏逆变器中，HFA200NJ60C可用于直流侧的升压（Boost）电路，将较低的光伏阵列电压提升至适合逆变的水平，其低Qg和低Coss特性有助于降低开关损耗，提高整体光电转换效率。该器件还可用于电机驱动系统中的功率级开关，特别是在中小功率的通用变频器中表现优异。其他应用还包括电子镇流器、焊接设备、激光电源以及高电压脉冲发生器等工业与消费类电子产品。得益于其坚固的设计和稳定的性能，HFA200NJ60C是许多中高端功率应用的理想选择。
　　