类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：7A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值1.2Ω（最大1.5Ω）
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等

HF7N65具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其最大漏源电压为650V，使其适用于中高压应用，如AC-DC电源适配器和电机驱动电路。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为1.2Ω，从而在导通状态下降低了功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，最大功耗为50W，并能够在高温环境下稳定运行，适合对可靠性要求较高的工业设备。HF7N65还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定程度的保护，增强了系统的稳定性。该器件的封装形式包括TO-220和TO-263（D2PAK），其中TO-263封装具有良好的散热性能，便于在高功率应用中使用表面贴装技术进行安装。同时，HF7N65的栅极驱动电压范围为±20V，适用于多种常见的驱动电路设计。总的来说，HF7N65是一款性能稳定、适用范围广泛的功率MOSFET，能够满足多种高电压、中等电流应用场景的需求。

HF7N65常用于各类开关电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机控制电路、LED驱动电源、电池管理系统（BMS）以及家用电器中的功率控制模块。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通性能，该器件在工业自动化设备、电动车充电器和光伏逆变器等应用中也较为常见。

IRF740、STP7NK65Z、FQP7N65C、APT7N65B