类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.8mΩ（@Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252

HF01803 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。其最大漏源电压为 30V，可适用于多种低压高电流应用场景。该器件的连续漏极电流可达 60A，表明其具备强大的电流承载能力，适合在高功率密度设计中使用。
　　HF01803 的栅极驱动电压范围为 10V 至 20V，通常在 10V 时即可实现较低的 Rds(on)，这使其兼容常见的 MOSFET 驱动电路。此外，其高功率耗散能力（150W）确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该器件的封装形式包括 TO-220 和 TO-252，便于在 PCB 上安装，并提供良好的散热性能。TO-220 是一种常见的通孔封装，具有良好的机械稳定性和散热能力；而 TO-252 则适合表面贴装工艺，有助于提高生产效率。
　　HF01803 还具备良好的热稳定性，在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内均可正常工作，适用于工业控制、电动工具、电池管理系统（BMS）、电源模块等严苛环境下的应用。

HF01803 主要用于需要高电流和低导通电阻的功率电子系统中。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电源管理系统、电池充电器、逆变器以及各类工业自动化设备中的功率开关电路。其高电流能力和低损耗特性也使其成为电动工具、无人机、电动车等便携式设备中的理想选择。

SiS686A, IRF1803, AUIRF1803, STP60NF03L, FDP6030L