HE8550G-D 时间：2025/12/27 7:24:38 阅读：13

HE8550G-D是一款由上海贝岭（Belling）公司推出的高性能、低功耗的DC-DC同步降压转换器芯片，广泛应用于消费类电子、工业控制、通信设备及便携式电源管理系统中。该芯片采用恒定导通时间（COT）控制模式，具备快速瞬态响应能力，能够在输入电压和负载变化时保持稳定的输出电压。HE8550G-D集成了高边和低边功率MOSFET，支持宽输入电压范围，典型应用中可将5V至18V的输入电压高效降至1V至7V的可调输出电压，最大持续输出电流可达5A。芯片封装形式为DFN3*3-10L，具有良好的热性能和紧凑的占位面积，适用于对空间要求严格的高密度PCB设计。
　　该器件内置多种保护机制，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、输出过压保护（OVP）以及输入欠压锁定（UVLO），确保系统在异常工况下的安全运行。此外，HE8550G-D支持外部电阻调节输出电压，通过简单的分压电阻网络即可实现精确的电压设定，极大提升了设计灵活性。其工作结温范围为-40°C至+125°C，适合在恶劣环境温度下稳定工作。得益于先进的CMOS工艺和优化的电路架构，该芯片在全负载范围内展现出优异的能效表现，轻载时自动进入节能模式以降低静态功耗，满足绿色能源和能效标准的要求。

参数

型号：HE8550G-D
　　类型：同步整流降压DC-DC转换器
　　输入电压范围：5V ~ 18V
　　输出电压范围：1V ~ 7V（可调）
　　最大输出电流：5A
　　控制模式：COT（恒定导通时间）
　　开关频率：典型值500kHz
　　反馈参考电压：0.6V ± 1%
　　工作温度范围（TA）：-40°C ~ +85°C
　　结温范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：DFN3*3-10L
　　引脚数：10
　　静态电流：典型45μA
　　关断电流：≤1μA
　　占空比范围：0% ~ 100%
　　保护功能：过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、输出过压保护（OVP）、输入欠压锁定（UVLO）

特性

HE8550G-D采用恒定导通时间（COT）控制架构，这一控制方式无需复杂的环路补偿设计，简化了外部元件选型并提升了系统的稳定性。COT控制通过监测输出电压纹波来决定每个开关周期的导通时间，从而实现极快的负载瞬态响应，特别适用于动态负载变化频繁的应用场景，如CPU核心供电、FPGA电源轨等。当负载突然增加时，芯片能够迅速启动新的开关周期，避免输出电压大幅跌落；而在轻载或空载条件下，芯片自动切换至PFM（脉冲频率调制）模式，显著降低开关损耗和静态功耗，提高整体效率。此外，COT架构对输出电容的ESR不敏感，允许使用低ESR陶瓷电容，有助于减小输出纹波并进一步缩小整体解决方案尺寸。
　　该芯片内置的上下管MOSFET经过优化设计，具有较低的导通电阻（Rdson），有效降低了导通损耗，提升转换效率。在典型5V输入、3.3V/3A输出的应用条件下，效率可达到95%以上。芯片内部集成的自举二极管减少了外部元件数量，简化了布局设计。此外，HE8550G-D具备精确的0.6V基准电压源，精度高达±1%，配合外部高精度电阻分压网络，可实现输出电压的精准调节。软启动功能通过内部电路控制启动过程中的电流上升斜率，防止启动时产生过大的浪涌电流，保护输入电源和后级电路。
　　为了增强系统可靠性，HE8550G-D集成了多重保护机制。过流保护通过检测下管导通时的电流信号实现，一旦超过设定阈值即触发打嗝模式，限制平均输出电流并尝试自动恢复。过温保护在芯片结温超过150°C时自动关闭输出，待温度回落后再重启，避免热失控。输出过压保护则在反馈环路失效导致输出电压异常升高时迅速切断功率级，防止损坏负载设备。这些保护功能均无需外部配置，全部由内部电路自动执行，提高了系统的鲁棒性和安全性。

应用

HE8550G-D适用于多种需要高效、稳定直流电源的场合。在消费电子产品中，常用于平板电脑、智能显示器、机顶盒和家庭网关设备中的主电源或内核电源模块，为其提供可靠的低压大电流供电。在工业自动化领域，该芯片可用于PLC控制器、传感器供电单元、HMI人机界面等设备的电源管理部分，适应宽温宽压的工作环境。通信基础设施如光模块、路由器和交换机的板载电源系统也广泛采用此类高集成度降压芯片，以满足紧凑空间和高能效的需求。此外，在医疗电子设备、测试测量仪器以及智能家居控制中心中，HE8550G-D凭借其低噪声、高稳定性和丰富保护功能，成为理想的电源解决方案。其可调输出特性使其能够兼容不同逻辑电平的处理器和存储器供电需求，例如为DDR内存提供VTT电源或为核心电压敏感器件提供定制化电压轨。由于支持5A持续输出电流，该芯片也可用于驱动多个并联的数字IC或作为多相电源的单相单元，扩展系统功率容量。