HD75451AP 时间：2025/9/7 15:24:17 阅读：11

HD75451AP是一款由Harris Semiconductor（现为Intersil）推出的双通道高压侧和低压侧MOSFET驱动器集成电路，广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器等功率电子系统中。该芯片设计用于高效驱动N沟道MOSFET或IGBT，具有较高的驱动能力和良好的抗干扰性能。HD75451AP采用DIP16封装，适用于工业控制、汽车电子和电源管理系统。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　电源电压：10V至20V
　　输出电流：每通道峰值电流可达1.2A
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装形式：16引脚DIP
　　高压侧浮动电源电压：最高可达600V
　　驱动能力：高/低边双通道输出
　　传播延迟：约500ns
　　输出电压摆幅：与电源电压同步
　　静态电流：典型值为10mA

特性

HD75451AP具有双通道驱动能力，分别适用于高压侧（high-side）和低压侧（low-side）MOSFET驱动。其高压侧采用浮动电源技术，能够承受高达600V的电压，适用于高压电源转换系统。芯片内置欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在电源电压不足时误操作，确保系统稳定性。该器件具有较低的传播延迟和匹配的延迟时间，有助于提高开关效率并减少交叉导通的风险。其输出具有较强的灌电流和拉电流能力，可快速驱动大功率MOSFET，降低开关损耗。此外，HD75451AP具备良好的抗噪能力，能够在恶劣电磁环境下稳定工作。

应用

HD75451AP常用于半桥或全桥拓扑结构中的MOSFET驱动，如DC-DC转换器、无刷直流电机控制器、UPS不间断电源、逆变器、功率因数校正（PFC）电路等。由于其高压侧浮动电源设计，非常适合用于高电压、高频率的功率转换应用。在工业自动化系统和新能源设备中，HD75451AP也广泛用于提升功率模块的响应速度和驱动能力。