时间：2025/9/6 19:10:35
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HD49717ANT是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于早期的DRAM产品系列之一。该芯片采用标准的TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，适用于需要较高存储密度和较快速度的嵌入式系统或计算机外围设备。HD49717ANT为1M×16位的DRAM结构，支持异步操作，具有较低的功耗和较高的集成度，适用于中低端嵌入式系统、通信设备、工业控制设备等。
容量：1M×16位
封装类型：TSOP
工作电压：3.3V
数据速率：10ns（最大）
访问时间：10ns
封装引脚数：54
存储类型：DRAM
组织结构：16位
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
HD49717ANT芯片具有多个显著的特性，使其在当时的应用场景中表现出色。首先，其1M×16位的存储结构提供了2MB的总存储容量，适用于需要较大缓存或临时存储的应用。芯片采用异步DRAM技术，无需外部时钟同步，简化了系统设计。其10ns的访问速度能够满足中等性能嵌入式系统的读写需求。
其次，该芯片的工作电压为3.3V，相较于5V供电的早期DRAM芯片，功耗更低，有助于减少设备的发热并提高能效。此外，TSOP封装形式使其更适用于高密度PCB布局，提升了整体系统的集成度。
HD49717ANT还具备良好的温度适应能力，工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，符合工业级应用标准，可在恶劣环境下稳定运行。这些特性使其在工业控制、老式网络设备、图像处理模块等领域中得到广泛应用。
HD49717ANT广泛应用于多种嵌入式系统和工业设备中，尤其是在对成本敏感且对性能要求不极端的场景中。常见应用包括老旧的工业控制主板、网络交换设备、图像采集和处理模块、通信网关、打印机缓存、以及某些老式消费类电子产品中。由于其异步接口设计，该芯片也适用于使用传统控制器或微处理器的系统，无需复杂的时序控制电路，降低了设计复杂度和成本。
AS4C1M16A23BCN4、CY7C1021B-10ZSXC、IS61LV1024-10B4
