类型：SRAM（静态随机存取存储器）
　　容量：16K位（1K x 16）
　　电源电压：5V（典型值）
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　封装类型：28引脚 PDIP（塑料双列直插式封装）
　　访问时间：55ns（最大）
　　功耗：典型值 100mW
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　数据保持电压：2V（最小）
　　封装尺寸：约15.24mm x 7.87mm

HD404316S 是一款高性能的静态随机存取存储器芯片，专为低功耗和高速操作而设计。其CMOS制造工艺确保了较低的静态功耗，并且在高频操作下仍能保持稳定的性能。该芯片的16K位存储容量（1K x 16）使其适用于需要中等容量存储的系统，如小型计算机、工业控制器、通信设备和嵌入式系统。
　　HD404316S 的访问时间为55纳秒，这使得它能够在较高频率下运行，适用于对响应速度要求较高的应用。其TTL兼容的输入/输出电平确保了与其他逻辑电路的兼容性，简化了系统集成。
　　此外，该芯片在电源电压降低至2V时仍能保持数据不变，这为系统在低功耗模式下运行提供了保障。其28引脚的PDIP封装形式适合用于实验电路板和原型开发，也适用于空间要求不苛刻的量产应用。
　　HD404316S 的工作温度范围为0°C至70°C，适合在常规工业环境下使用，无需额外的冷却或加热措施。其典型功耗为100mW，远低于传统的双极型SRAM，适用于对功耗敏感的便携式设备和电池供电系统。

HD404316S 通常应用于需要高速数据存储和低功耗的电子系统中。其典型应用场景包括小型计算机的主存储器、工业控制系统中的缓冲存储器、通信设备中的数据缓存以及嵌入式系统中的临时数据存储模块。此外，该芯片也适用于测试设备、数据采集系统和低功耗便携设备，如手持式仪器和远程传感器节点。

HM6116P-3、CY6216BLL-55ZXI、IS61C1024-55B4I