HD404316C835是一款CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由日立(Hitachi)公司生产。这款芯片具有低功耗和高速度的特点,适用于需要快速数据访问的应用场景。HD404316C835采用CMOS技术制造,确保了在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
类型:SRAM
容量:16K x 4位
电源电压:5V
工作温度范围:0°C至70°C
封装类型:28引脚DIP
访问时间:55ns
输入/输出接口:并行
功耗:典型值为150mW
HD404316C835是一款高性能的静态随机存取存储器芯片,具有低功耗和高速度的特点。其CMOS技术确保了在广泛的温度范围内稳定工作。该芯片的访问时间为55ns,使其适用于需要快速数据存取的应用场景。此外,HD404316C835的封装形式为28引脚DIP,便于在各种电路板上安装和使用。
该芯片的16K x 4位存储容量使其能够存储大量的数据,适合用于缓存和高速缓冲存储器。HD404316C835的低功耗设计使其在电池供电设备中表现出色,延长了设备的使用时间。此外,该芯片的可靠性高,能够在长时间的运行中保持稳定的性能,适合用于工业控制和通信设备等关键应用领域。
HD404316C835的并行输入/输出接口使其能够快速地与处理器和其他外围设备进行数据交换,提高了系统的整体性能。该芯片的设计还考虑到了电磁干扰(EMI)的抑制,确保了在高噪声环境中的可靠工作。此外,HD404316C835的工作温度范围为0°C至70°C,适合在各种环境条件下使用。
HD404316C835广泛应用于需要高速存储和低功耗的设备中,如工业控制设备、通信设备、测试仪器和嵌入式系统。该芯片还可用于个人计算机的缓存、数据采集系统和实时控制系统等场景。
HM6116LP-3