HD3SS6126 时间：2025/5/6 13:07:43 阅读：9

HD3SS6126 是一款高性能、双向的 TVS（瞬态电压抑制器）二极管阵列，专为高速信号线提供静电放电 (ESD) 保护和电气过应力 (EOS) 保护而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低电容特性，能够确保信号完整性，同时快速响应并有效钳制瞬态电压。它适用于各种消费类电子设备和通信接口的保护需求。

参数

工作电压：±6V
　　最大箝位电压：±24V
　　峰值脉冲电流：±12A
　　电容：0.5pF
　　响应时间：≤1ps
　　结温范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：DFN1010-2

特性

HD3SS6126 具有以下显著特点：
　　1. 双向保护设计，支持正负双向瞬态电压抑制。
　　2. 极低的负载电容（0.5pF），对高速信号的影响非常小。
　　3. 快速响应时间（≤1ps），能够及时应对瞬态事件。
　　4. 高浪涌承受能力，峰值脉冲电流可达 ±12A。
　　5. 工作电压范围宽（±6V），适合多种应用场景。
　　6. 小型化封装（DFN1010-2），便于在空间受限的设计中使用。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。

应用

HD3SS6126 广泛应用于需要 ESD 和 EOS 保护的场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 高速数据接口保护，如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort 等。
　　2. 移动设备中的天线端口保护。
　　3. 消费类电子产品中的音频和视频信号线保护。
　　4. 工业控制和通信系统中的信号线路保护。
　　5. 汽车电子中的高速总线保护，例如 CAN、LIN 等。