容量：1M x 8位
　　电压：5V
　　访问时间：55ns、70ns等不同版本
　　封装类型：32引脚TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据保持时间：64ms
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　

HD32108P具备多种特性，使其在当时的存储器市场中具有较高的竞争力。首先，该芯片采用了高速CMOS工艺，能够实现较快的访问时间（如55ns或70ns），从而提高了系统的整体性能。其次，其工作电压为标准的5V，符合当时主流系统的电源设计，简化了电源管理需求。此外，HD32108P的封装形式为32引脚TSOP，这种封装方式不仅节省了PCB空间，还提高了封装密度，适用于高密度电路板设计。
　　在数据保持方面，HD32108P支持64ms的数据保持时间，这意味着在不进行刷新操作的情况下，数据可以在存储器中保持长达64毫秒而不丢失。这对于需要周期性刷新的DRAM应用来说，提供了更长的刷新间隔，降低了系统的刷新开销。同时，该芯片的输入/输出电平兼容TTL标准，使其能够与广泛的数字逻辑电路兼容，提高了系统的互操作性。
　　此外，HD32108P还具备工业级的工作温度范围（-40°C至+85°C），使其能够在各种恶劣的环境条件下稳定工作。这使得它不仅适用于普通计算机系统，也适用于工业控制、通信设备等对环境适应性要求较高的应用场合。

HD32108P广泛应用于多个领域。在计算机系统中，它常被用作主存储器或缓存存储器，为处理器提供快速的数据访问能力。由于其高速特性和良好的兼容性，该芯片也常用于嵌入式系统和工业控制设备中，作为临时数据存储单元。此外，在通信设备中，HD32108P可以用于缓冲数据流，确保数据传输的稳定性和高效性。其工业级温度范围使其特别适合在户外设备、自动化控制系统等环境中使用。在消费类电子产品中，如早期的视频游戏机、数字电视等，HD32108P也被广泛采用，以满足对存储容量和速度的基本需求。

TC55V168BFT-70, HY57V641620BTC-6A, IS61LV25616-10B4