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HD21D506A 发布时间 时间:2025/12/28 17:00:29 查看 阅读:15

HD21D506A是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于早期的DRAM产品系列。该芯片的容量为256K x 4位,工作电压为5V,采用双列直插式封装(DIP),常用于上世纪90年代的计算机系统、工业控制设备和嵌入式系统中。HD21D506A以其稳定性和兼容性著称,适用于多种传统电子设备。

参数

容量:256K x 4位
  电压:5V
  封装类型:双列直插式封装(DIP)
  引脚数:20
  访问时间:120ns
  工作温度范围:0°C至70°C
  存储温度范围:-55°C至125°C

特性

HD21D506A具有较低的功耗设计,适合长时间运行的系统应用。
  该芯片采用CMOS工艺制造,具有良好的抗干扰性能和数据保持能力。
  其120ns的访问时间在当时属于中等速度,适用于对速度要求不极端的系统。
  封装形式为标准DIP,便于手工焊接和更换,适合维修和小批量生产使用。
  工作温度范围较宽,能够在一般工业环境下稳定运行。

应用

HD21D506A主要用于早期的个人计算机、工业控制系统、通信设备以及一些嵌入式系统中。
  在工业自动化设备中,该芯片可用于存储程序和数据,保障设备的正常运行。
  由于其良好的稳定性和兼容性,也常被用于一些老旧设备的维修和替换。
  此外,该芯片也适用于教育和研究领域,作为学习DRAM工作原理的实验元件。

替代型号

TC55257BFT-12, CY7C125-12VC, HM62256BLP-12

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