类型: NPN 双极型晶体管
　　集电极-发射极电压 (Vce): 最大 30V
　　集电极电流 (Ic): 最大 150mA
　　功率耗散 (Pd): 300mW
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　封装类型: TO-92 或 SOT-23（具体取决于制造商）
　　增益带宽积 (fT): 100MHz
　　电流增益 (hFE): 110-800（根据具体等级不同）

HD160C 晶体管具有出色的高频响应能力，这使其非常适合用于射频（RF）和中频（IF）放大器的设计。其NPN结构提供了较高的电流增益，同时在低功耗条件下也能保持稳定的工作性能。此外，该器件的封装设计紧凑，便于在小型化电路板上安装和使用。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，通常在110到800之间，具体数值取决于不同的等级（如 hFE 分为 O、Y、GR、BL 等），这使得用户可以根据实际应用需求选择合适的型号。这种灵活性使其适用于多种类型的放大电路和开关控制电路。
　　HD160C 还具备良好的温度稳定性和较低的噪声系数，这在音频放大器和前置放大器中尤为重要。同时，其最大工作频率（fT）可达100MHz，确保了在高频信号处理中的优异表现。该晶体管的封装形式通常为 TO-92 或 SOT-23，前者适用于通孔安装，后者则更适合表面贴装技术（SMT），从而满足不同生产需求。
　　此外，HD160C 在功率耗散方面表现出色，其最大耗散功率为300mW，能够在较高的环境温度下稳定运行。这一特性使其广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备等领域。

HD160C 主要应用于需要高增益、高频响应的电子电路中。常见应用包括射频（RF）放大器、音频前置放大器、中频（IF）放大器、数字开关电路以及低噪声放大器（LNA）等。它也常用于传感器信号放大、无线通信模块、电源管理电路以及各类嵌入式系统中的信号处理部分。

2N3904, BC547, PN2222