HCPL316J-500E 是由安森美半导体(原Avago Technologies)推出的一款高集成度、高速光耦隔离型IGBT栅极驱动器芯片。该芯片专为驱动高功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)设计,广泛应用于电机控制、变频器、逆变器以及工业自动化系统中。HCPL316J-500E集成了过流保护(DESAT检测)、欠压锁定(UVLO)、故障反馈(FLT)等功能,具备高抗噪能力和电气隔离性能,适用于需要高可靠性的工业和电源转换应用。
供电电压:15V至30V
输出驱动电流:最大±2.5A
工作温度范围:-40°C至+85°C
隔离电压:5000 VRMS
传播延迟:100ns(最大)
共模瞬态抗扰度(CMTI):50kV/μs
IGBT过流保护阈值:7V(典型)
欠压锁定阈值:11.8V(典型)
封装类型:SO-16
HCPL316J-500E具备多项先进特性,使其在IGBT驱动应用中表现出色。首先,其内置的过流保护功能通过检测IGBT的集电极-发射极电压(VCE)来判断是否发生过流或短路情况,一旦检测到过流,芯片将自动关闭IGBT并输出故障信号,保护系统安全。其次,该芯片具有高隔离电压(5000 VRMS),确保了主电路与控制电路之间的电气隔离,提高了系统的安全性。此外,HCPL316J-500E具有快速的传播延迟(最大100ns),可实现高精度的开关控制,适用于高频开关场合。芯片还具备欠压锁定(UVLO)功能,在供电电压不足时自动关断IGBT,防止IGBT因驱动电压不足而损坏。HCPL316J-500E采用SO-16封装,适用于表面贴装工艺,便于在高密度PCB设计中使用。其高共模瞬态抗扰度(CMTI)达50kV/μs,确保在高噪声环境下仍能稳定工作。
HCPL316J-500E 主要应用于需要高可靠性和高性能的IGBT驱动场合。例如,在工业变频器和伺服驱动器中,用于驱动三相IGBT模块,实现对交流电机的精确控制;在UPS(不间断电源)和太阳能逆变器中,作为IGBT的隔离驱动单元,提高系统的转换效率和稳定性;在电动汽车的电机控制器和车载充电器中,也常用于IGBT的驱动和保护。此外,该芯片还可用于焊接电源、感应加热、工业电源转换系统等高功率应用中,为IGBT提供稳定、安全的驱动支持。
ACPL316J-500E、HCPL-316J-500E、FOD316J