时间：2025/6/3 17:51:54
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HCNW4503是一款高性能的NPN型硅双极晶体管，主要用于高频和高增益放大电路中。该晶体管具有低噪声、高增益和良好的频率响应特性，适用于无线通信、射频模块以及其他高频电子设备中的信号放大与处理。
HCNW4503在设计上采用了先进的制造工艺，以确保其能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。此外，该器件还具备较高的集电极-发射极击穿电压（BVceo），使其能够适应更广泛的应用场景。
最大集电极电流：150mA
最大集电极耗散功率：250mW
集电极-发射极击穿电压：30V
发射极-基极击穿电压：6V
特征频率（fT）：7GHz
直流电流增益（hFE）：100-400
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高频响应能力，适合用于射频和无线通信应用。
2. 直流电流增益范围大，可满足不同电路设计需求。
3. 较高的集电极-发射极击穿电压，增强了器件的可靠性和适应性。
4. 在极端温度条件下仍能保持稳定性能，扩展了使用场景。
5. 小型封装设计，便于集成到紧凑型电路板中。
1. 高频放大器设计，如射频前端模块。
2. 调制解调器及无线通信系统中的信号放大。
3. 测试测量仪器中的信号调节电路。
4. 工业控制设备中的信号传输与处理。
5. 医疗电子设备中的高精度信号采集与放大。
2SC5698, BFR96, HCNW4502
