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HC63-R33MT 发布时间 时间:2025/12/28 1:12:47 查看 阅读:12

HC63-R33MT是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装薄膜片式电阻器,属于其高精度、低温漂系列的产品之一。该电阻器采用先进的薄膜技术制造,具有出色的长期稳定性和可靠性,适用于对精度和温度特性要求较高的应用场合。HC63-R33MT的标称阻值为0.33Ω,额定功率为1W,在小型化封装的同时实现了较高的功率处理能力。其尺寸为2512(6.4mm x 3.2mm),适合在空间受限但需要较高功率耗散的电路中使用。该器件广泛应用于电源管理、电流检测、工业控制、测试与测量设备以及汽车电子等领域。
  HC63-R33MT具备低温度系数(TCR)特性,典型值为±25ppm/°C或更低,确保在环境温度变化较大的情况下仍能保持稳定的电阻值。此外,该电阻采用无铅设计,符合RoHS和REACH环保标准,并具备良好的耐湿性和抗老化性能。其端电极采用镍阻挡层和锡镀层结构,增强了焊接可靠性和耐腐蚀能力,适用于回流焊和波峰焊等多种贴装工艺。由于其优异的电气性能和机械稳定性,HC63-R33MT常被用于替代传统的绕线电阻或其他大体积高功率电阻,在现代高密度PCB布局中发挥重要作用。

参数

型号:HC63-R33MT
  制造商:Vishay Semiconductor
  阻值:0.33Ω
  容差:±1%
  额定功率:1W
  温度系数(TCR):±25ppm/°C
  工作温度范围:-55°C 至 +155°C
  存储温度范围:-55°C 至 +155°C
  最大工作电压:200V
  尺寸(长×宽):2512(6.4mm × 3.2mm)
  安装类型:表面贴装(SMD)
  材料:薄膜陶瓷基板
  端子结构:镍阻挡层 + 锡镀层
  符合标准:RoHS, REACH

特性

HC63-R33MT采用精密薄膜沉积工艺,在高纯度陶瓷基板上形成均匀的电阻膜层,从而实现极高的阻值精度和长期稳定性。其±1%的阻值公差满足大多数精密电路的需求,而±25ppm/°C的低温度系数则显著降低了因温度波动引起的阻值漂移,确保在宽温环境下依然保持准确的电流采样或分压功能。这一特性使其特别适用于高精度电流检测应用,例如开关电源中的过流保护、电机驱动系统的相电流反馈以及电池管理系统中的充放电监控。
  该器件具备1W的额定功率,相较于同类尺寸产品具有更高的功率密度,能够在持续负载下有效散热而不影响性能。其2512封装形式经过优化设计,提供了足够的散热面积,并可通过PCB上的热焊盘进一步提升热传导效率。此外,HC63-R33MT具有出色的脉冲负载能力和抗浪涌特性,能够承受短时间内较大的电流冲击,适用于存在瞬态过载风险的应用场景。
  从可靠性角度看,HC63-R33MT通过了严格的环境测试,包括高温高湿偏置试验(HAST)、温度循环测试和长期负载寿命测试,验证了其在恶劣工况下的稳定运行能力。其无铅锡镀层端子不仅符合环保法规要求,还提高了焊接接头的机械强度和耐腐蚀性,减少了虚焊和开裂的风险。整体而言,HC63-R33MT是一款集高精度、高功率、高可靠性和良好可制造性于一体的高性能片式电阻器,适用于对质量和性能有严苛要求的工业与汽车级应用。

应用

HC63-R33MT广泛应用于需要高精度、高稳定性和一定功率处理能力的电子系统中。典型应用场景包括各类电源电路中的电流检测,如DC-DC转换器、AC-DC整流器和开关模式电源(SMPS),其中它作为低阻值采样电阻用于实时监测输出电流并提供反馈信号以实现闭环控制。在工业自动化领域,该电阻常用于PLC模块、伺服驱动器和变频器中的电流传感单元,确保电机运行的安全与精确。
  在新能源和电动汽车相关系统中,HC63-R33MT可用于电池管理系统(BMS)中进行电池组充放电电流的精确测量,帮助实现荷电状态(SOC)估算和过流保护功能。其宽工作温度范围和高可靠性也使其适用于车载充电机(OBC)、DC-DC变换器等汽车电子部件。
  此外,该器件还可用于测试与测量仪器,如数字万用表、电流探头和精密电源,其中对电阻的长期稳定性和温度特性要求极高。在医疗设备、通信基础设施和高端消费类电子产品中,HC63-R33MT同样表现出色,尤其在空间受限但需保证性能一致性的紧凑型设计中具有明显优势。

替代型号

WSL2512R3300FEK

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