类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
　　正向压降（VF）：典型值1.55V @ 10A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：≤ 100μA @ 1200V, 25°C；≤ 10mA @ 1200V, 175°C
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　浪涌电流能力（IFSM）：80A @ 1个周期（60Hz）
　　热阻结到外壳（RθJC）：约2.5°C/W
　　封装类型：TO-247-3L
　　安装方式：通孔安装

HC1S60F1020BQ的核心优势在于其基于6英寸4H-SiC外延材料制造的碳化硅肖特基势垒结构，这一结构从根本上消除了传统PN结二极管的少数载流子存储效应，从而实现了零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和极短的反向恢复时间（trr）。这一特性使得器件在高频开关应用中几乎不产生开关损耗，大幅提升了电源转换效率，尤其是在硬开关拓扑如图腾柱PFC、LLC谐振变换器和三相维也纳整流器中表现尤为突出。同时，由于没有反向恢复电流尖峰，系统的电磁干扰水平显著降低，有助于满足严格的EMI认证要求，并减少对外部缓冲电路和滤波元件的依赖。
　　该器件具备出色的高温工作能力，最大结温可达175°C，远高于传统硅基二极管的150°C上限。这不仅允许器件在高温环境中稳定运行，还提高了系统的热设计灵活性，可在紧凑型散热结构下实现更高功率密度。此外，HC1S60F1020BQ的正向压降随温度变化较小，具有良好的温度稳定性，避免了热失控风险，增强了并联使用的可靠性。其低漏电流设计在常温下可控制在100μA以内，即使在高温条件下也能维持在毫安级水平，确保待机功耗和静态损耗处于较低范围。
　　在可靠性方面，HC1S60F1020BQ通过了严格的工业级认证测试，包括高温高压反偏（HTRB）、高温高湿反偏（H3TRB）和温度循环等试验，验证了其在恶劣工况下的长期稳定性。TO-247-3L封装采用铜带连接和优化的内部布局，提升了导电和散热性能，同时引脚设计兼容主流功率模块和驱动电路，便于用户进行PCB布局和热管理设计。总体而言，HC1S60F1020BQ凭借其高效、耐高温、高可靠性的特点，成为替代传统快恢复二极管和硅基PIN二极管的理想选择，尤其适用于追求小型化、轻量化和高能效的先进电力电子系统。

HC1S60F1020BQ广泛应用于多种高要求的电力电子领域。在新能源发电系统中，它被用于光伏逆变器的直流侧升压电路和交流侧续流支路，利用其零反向恢复特性提高MPPT效率并降低系统温升；在风力发电变流器中，作为制动单元或辅助整流元件使用。在电动汽车基础设施方面，该器件适用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率因数校正（PFC）级与DC-DC变换级，帮助实现更高的转换效率和更小的冷却系统体积。工业电源领域中，常见于服务器电源、通信电源和激光电源等高端开关电源产品中，特别是在图腾柱无桥PFC拓扑中发挥关键作用，显著提升满载和轻载效率。此外，在不间断电源（UPS）和储能变流器（PCS）系统中，HC1S60F1020BQ用于电池接口电路和逆变输出续流路径，提升系统动态响应能力和能量回馈效率。其高结温和高浪涌能力也使其适合电机驱动器中的泵升保护电路和再生制动回路，在变频器和伺服驱动中提供可靠的能量泄放通道。得益于其优异的高频特性，该器件还可用于高频感应加热、医疗电源和航空电源等特种电源设备中，满足对体积、重量和效率的严苛要求。

CREE C4D10120D
　　ON Semiconductor FFSH10120A
　　Infineon IDW10G120C
　　ROHM SCSD1012A