类型：硅双极型晶体管
　　工作频率：780 MHz
　　输出功率：30 W
　　封装形式：AB型封装
　　增益：约13 dB
　　工作电压：28 V
　　工作电流：最大集电极电流5 A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

HC1S30F780AB具有多个优异的电气和热性能特性。首先，该晶体管在780MHz工作频率下可提供高达30W的输出功率，适用于高功率射频放大器应用。其次，其高增益特性（约13dB）确保了良好的信号放大能力，使得该器件在多级放大电路中表现优异。此外，该晶体管能够在28V的电源电压下稳定工作，具备较高的电压耐受能力，从而提高了系统的稳定性和可靠性。
　　HC1S30F780AB采用了高效的散热设计，能够在高温环境下长时间工作而不发生热失效。其最大集电极电流可达5A，具备良好的电流承载能力。该晶体管的封装形式为AB型封装，提供了良好的机械稳定性和高频性能支持。此外，该器件的温度工作范围为-40°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件下的运行。
　　在可靠性方面，HC1S30F780AB经过严格的测试和验证，能够在长时间高功率运行下保持稳定的性能。这使得它非常适合用于对稳定性要求极高的通信基础设施，如移动通信基站和广播发射设备。此外，其优异的抗干扰能力和较低的噪声系数也使得该晶体管在复杂电磁环境中具有良好的适应能力。

HC1S30F780AB主要用于射频功率放大器的设计，特别是在800MHz至900MHz频段的无线通信系统中。常见的应用包括蜂窝基站、中继器、广播设备以及工业测试设备中的射频放大模块。由于其高输出功率和良好的热稳定性，该晶体管也适用于需要长时间高负载运行的工业和通信设备。此外，HC1S30F780AB还可用于射频加热、医疗射频设备以及其他需要高功率射频输出的特殊应用场合。

FLL350M-780B, MRF151G, NTE349