HBS7PBB4SA041C 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率转换的场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下提供卓越的效率和可靠性。
其封装形式通常为表面贴装类型,适合自动化生产流程,同时具备良好的热性能表现。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:28A
导通电阻:1.3mΩ
栅极电荷:39nC
输入电容:1550pF
总功耗:140W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
HBS7PBB4SA041C 的主要特点包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,减少了开关损耗,适合高频应用。
3. 高雪崩能力和鲁棒性,能够承受瞬态电压尖峰。
4. 内置 ESD 保护电路,增强了器件的抗静电能力。
5. 紧凑型封装设计,简化了 PCB 布局并节省空间。
6. 宽泛的工作温度范围,适用于恶劣环境下的工业及汽车领域。
该芯片广泛用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机控制与驱动
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统
7. LED 驱动器
HBS7PBB4SA041C 凭借其高效率和可靠性,在这些应用中表现出色,能够显著提升系统的整体性能。
HBS7PBB4SA040C, HBS7PBB4SA042C