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HBS7PBB4SA041C 发布时间 时间:2025/7/16 12:06:22 查看 阅读:9

HBS7PBB4SA041C 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率转换的场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下提供卓越的效率和可靠性。
  其封装形式通常为表面贴装类型,适合自动化生产流程,同时具备良好的热性能表现。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:1.3mΩ
  栅极电荷:39nC
  输入电容:1550pF
  总功耗:140W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

HBS7PBB4SA041C 的主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,减少了开关损耗,适合高频应用。
  3. 高雪崩能力和鲁棒性,能够承受瞬态电压尖峰。
  4. 内置 ESD 保护电路,增强了器件的抗静电能力。
  5. 紧凑型封装设计,简化了 PCB 布局并节省空间。
  6. 宽泛的工作温度范围,适用于恶劣环境下的工业及汽车领域。

应用

该芯片广泛用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机控制与驱动
  4. 太阳能逆变器
  5. 工业自动化设备
  6. 汽车电子系统
  7. LED 驱动器
  HBS7PBB4SA041C 凭借其高效率和可靠性,在这些应用中表现出色,能够显著提升系统的整体性能。

替代型号

HBS7PBB4SA040C, HBS7PBB4SA042C

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