类型：硅双极型晶体管（NPN）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大耗散功率（PD）：1.5W
　　工作频率范围：最高可达2GHz
　　增益带宽积（fT）：2500MHz
　　电流增益（hFE）：典型值为60-300（根据工作点不同）
　　封装形式：SOT-223

HBFP0405TR1G具备多项优异的电气和物理特性，使其在射频应用中表现出色。首先，该晶体管的最大工作频率高达2GHz，适合用于高频放大和混频电路。其次，其增益带宽积（fT）达到2500MHz，确保在高频条件下仍能提供足够的增益。此外，HBFP0405TR1G具有较高的线性度，这对于减少通信系统中的信号失真至关重要。该器件的SOT-223封装形式不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，能够在高功率条件下保持稳定运行。HBFP0405TR1G的电流增益（hFE）范围较宽，通常在60到300之间，具体取决于集电极电流的工作点，这使得它适用于多种射频电路设计。另外，该晶体管的集电极-发射极击穿电压为30V，最大集电极电流为100mA，确保在中等功率应用中的可靠性。最后，其功耗限制为1.5W，适合在紧凑型设计中使用而无需额外的散热装置。
　　从应用角度看，HBFP0405TR1G广泛用于无线通信系统中的射频功率放大器模块，尤其是在GSM、CDMA、WCDMA和LTE等蜂窝通信标准中。由于其优异的高频性能和低噪声系数，该晶体管也可用于低噪声放大器（LNA）的设计。此外，HBFP0405TR1G的线性度特性使其适用于要求高信号完整性的应用，例如无线基站和射频测试设备。在设计时，工程师可以利用其宽增益范围进行灵活配置，以满足不同的放大需求。同时，SOT-223封装便于表面贴装（SMT）工艺，提高了生产效率和产品一致性。

HBFP0405TR1G主要应用于射频和微波通信系统中，包括蜂窝基站、无线局域网（WLAN）、射频识别（RFID）、卫星通信和测试测量设备等。它特别适用于作为射频功率放大器、低噪声放大器（LNA）和混频器的核心元件。此外，该晶体管也可用于无线基础设施中的信号中继和增强设备，以提升通信质量和覆盖范围。在消费类电子产品中，HBFP0405TR1G可用于蓝牙、Wi-Fi和其他短距离无线通信模块的射频前端设计。

HBFP0405TR1G的替代型号包括BFQ69、BFG21、BFR93A、BFQ725、以及MMBT3904。