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HBDM60V600W-7 发布时间 时间:2023/3/3 16:23:41 查看 阅读:667

    制造商:DiodesInc.

    产品种类:双极小信号

    RoHS:是



目录

概述

    制造商:DiodesInc.

    产品种类:双极小信号

    RoHS:是

    配置:Dual

    晶体管极性:NPN/PNP

    安装风格:SMD/SMT

    封装/箱体:SOT-363

    集电极—发射极最大电压VCEO:-60V,65V

    发射极-基极电压VEBO:-5.5V,6V

    集电极连续电流:-600mA,500mA

    最大直流电集电极电流:0.5AatNPN,0.6AatPNP

    功率耗散:200mW

    最大工作频率:100MHz

    最大工作温度:+150C

    封装:Reel

    DCCollector/BaseGainhfeMin:50

    GainBandwidthProductfT:100MHz

    最小工作温度:-55C

    StandardPackQty:3000


资料

厂商
Diodes Incorporated

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HBDM60V600W-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN,PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA,600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)65V,60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称HBDM60V600WDITR