晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：200mW
　　电流增益（hFE）：110（最小值，Ic=2mA，Vce=5V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

HBC114ES6R 晶体管具备出色的电气特性和稳定的工作性能，适合多种通用和高频开关应用。其主要特性包括：
　　1. 高电流增益（hFE）：HBC114ES6R 在典型工作条件下提供高达 110 的电流增益，确保信号放大和开关操作的高效性。
　　2. 快速开关能力：该晶体管的开关速度较快，适用于要求响应迅速的数字电路和控制电路。
　　3. 紧凑型封装：采用 SC-74A（SOT-416）封装，体积小巧，适合高密度 PCB 布局。
　　4. 表面贴装技术兼容性：适用于 SMT 工艺，提高生产效率和焊接可靠性。
　　5. 宽工作温度范围：支持 -55°C 至 +150°C 的工作温度，确保在各种环境条件下的稳定运行。
　　6. 高电压耐受能力：集电极-基极电压为 50V，集电极-发射极电压为 30V，适用于中等电压电路设计。
　　7. 低饱和压降：在导通状态下，集电极与发射极之间的压降较低，有助于减少功耗和发热。

HBC114ES6R 主要用于以下应用领域：
　　1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、稳压电路和负载开关控制。
　　2. 电机驱动：作为驱动电路中的开关元件，控制小型直流电机的启停和方向。
　　3. 继电器控制：用于控制继电器线圈的通断，实现对高电压或高电流负载的隔离控制。
　　4. 数字电路：作为逻辑门、缓冲器和驱动器中的关键元件，用于信号放大和电平转换。
　　5. 传感器接口：用于放大和处理来自传感器的微弱信号，提高信号处理的精度。
　　6. LED 驱动：作为 LED 驱动电路中的开关元件，实现对 LED 灯具的高效控制。
　　7. 通信设备：用于通信系统中的信号放大和调制电路。

BC847BS、MMBT3904、2N3904、HBC114WZ、HBC114ES