晶体管类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：1.5A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：80V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：100V
　　最大功耗（Ptot）：1.5W
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA时为110-800（分档）
　　封装类型：SOT-223

HBAW56XLT1G 具备多项优良特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其高电流处理能力（最大集电极电流为1.5A）使其适合用于功率放大和高电流开关电路。其次，该晶体管的高电压耐受能力（Vce为80V，Vcb为100V）使其在高压环境中也能稳定工作。此外，HBAW56XLT1G 的电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的工作电流条件，hFE可以在110到800之间变化，从而提供灵活的放大性能。该晶体管的工作频率高达100MHz，适用于高频放大和射频应用。SOT-223封装形式不仅提供了良好的散热能力，还具有较小的封装尺寸，便于在紧凑的电路设计中使用。最后，HBAW56XLT1G具有较低的饱和压降（Vce_sat），提高了在开关应用中的效率并减少了功率损耗。
　　此外，HBAW56XLT1G采用了安森美半导体的先进制造工艺，确保了器件的稳定性和可靠性。其内部结构优化设计降低了寄生电容，提高了高频性能，适用于射频和高速开关应用。同时，该晶体管符合RoHS标准，符合现代电子产品对环保的要求。

HBAW56XLT1G 广泛应用于多个领域，特别是在需要高电流和高频性能的电路中。其主要应用包括功率放大器、射频（RF）放大器、高速开关电路、DC-DC转换器、马达驱动电路以及音频放大器。在通信设备中，如无线基站、射频模块和收发器中，该晶体管可用于射频功率放大。在工业控制领域，HBAW56XLT1G可用于驱动继电器、LED显示屏和电机控制电路。此外，在消费类电子产品中，如电源适配器、充电器和音响设备中也有广泛应用。由于其良好的高频特性和高电流能力，HBAW56XLT1G 也常被用于设计各种类型的放大电路和开关稳压电路。

BCX56-10, BD139, 2N2222A, PN2222A