类型：硅开关二极管
　　最大正向电流（IF）：200 mA
　　最大反向电压（VR）：75 V
　　反向击穿电压（VBR）：≥100 V
　　正向压降（VF）：@ 10 mA 时约为 1.0 V
　　反向漏电流（IR）：@ 75 V 时 ≤ 100 nA
　　结电容（Cj）：@ 0 V 时 ≤ 2 pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

HBAS16XLT1/BAS16 二极管具备快速开关能力，其反向恢复时间（trr）通常小于 10 ns，适合用于高频整流和检波电路。
　　该器件具有较低的结电容（Cj），这使其在射频应用中表现出色，适用于信号检测和高频开关控制。
　　其正向电流能力为 200 mA，足以应对多数中低功率开关电路的需求，同时可承受高达 75 V 的反向电压，适用于多种电压钳位和保护电路。
　　由于其低漏电流特性（在最大反向电压下漏电流小于 100 nA），该二极管在高阻抗电路中表现出良好的稳定性。
　　该器件采用小型SOT-23封装，便于在高密度PCB设计中使用，并具有良好的热稳定性和可靠性。
　　此外，HBAS16XLT1/BAS16 的制造工艺成熟，价格低廉，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。

HBAS16XLT1/BAS16 通常用于射频信号检测电路，如无线接收器中的信号强度检测。
　　它们也广泛应用于高频整流电路，如在DC-DC转换器或信号整流模块中实现快速开关。
　　此外，这些二极管可用于电压钳位保护电路，防止瞬态高压损坏敏感的后级电路。
　　在数字逻辑电路中，它们可以用于输入信号的限幅或隔离。
　　在汽车电子系统中，该二极管可用于CAN总线接口保护和点火系统中的高压隔离。
　　由于其低电容特性，BAS16 系列也常用于高速开关应用，如数据线路的电平转换和隔离。

1N4148, BB133, BB134, BB135, BAS16H, HBAS16H, BAS70