时间：2025/8/28 18:19:09
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HB28B192A8H是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的高带宽DRAM芯片，属于高性能存储器解决方案的一部分，适用于需要快速数据存取的电子设备。该芯片采用先进的制造工艺，具有高容量和低延迟的特点，适合用于网络设备、服务器、高性能计算系统以及其他需要稳定存储解决方案的应用场景。
型号：HB28B192A8H
类型：DRAM
容量：256MB
组织结构：x16
速度等级：-6A（对应时钟频率166MHz）
电压：3.3V
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
HB28B192A8H具备多项优良特性，包括高数据传输速率、低功耗设计、出色的稳定性和可靠性。
该芯片支持突发模式访问，能够显著提高数据吞吐量，适用于需要高速数据处理的应用场景。
其TSOP封装形式不仅有助于减小PCB板上的空间占用，还提供了良好的散热性能，确保芯片在高负载情况下仍能保持稳定运行。
此外，HB28B192A8H的工作温度范围覆盖工业级标准，使其能够在各种严苛环境下可靠工作，适用于工业控制、通信基础设施等对可靠性要求极高的领域。
这款DRAM芯片还具备良好的兼容性，能够与多种主控芯片和系统平台无缝集成，简化了系统设计并降低了开发成本。
HB28B192A8H广泛应用于网络路由器、交换机、服务器内存模块、图形加速卡、嵌入式系统以及工业自动化设备等领域。
其高带宽特性使其特别适合用于需要大量数据缓存和快速访问的场景，例如视频处理、图像存储和高性能计算系统。
在通信设备中，HB28B192A8H可用于提升数据转发速度和系统响应能力，从而增强整体性能。
此外，该芯片也常用于测试设备、测量仪器和高端消费类电子产品中，提供稳定可靠的存储支持。
HY57V281620FTP-6A, MT48LC16M2A2B4-6A
