时间：2025/8/28 18:20:08
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HAT2200WP是一款由东芝（Toshiba）生产的P沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和负载开关应用。该器件采用高性能的U-MOS技术，具备低导通电阻、高可靠性以及良好的热稳定性，适用于各类消费类电子设备和工业控制系统。HAT2200WP采用小型表面贴装封装（SOP），便于在紧凑的PCB布局中使用，并具备良好的散热性能。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4.4A
导通电阻（RDS(on)）：52mΩ（典型值，@VGS=-10V）
导通电阻温度系数：正温度系数
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP
引脚数：8
功率耗散（PD）：2.5W
HAT2200WP基于东芝先进的U-MOS工艺制造，具备极低的导通电阻，从而降低了功率损耗并提高了系统效率。其P沟道结构使其适用于高边开关应用，例如电池供电系统中的负载开关控制。该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持-20V至0V之间的稳定操作，使其兼容多种控制器和驱动电路。此外，HAT2200WP具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，确保在严苛工作条件下依然稳定运行。
该MOSFET的封装设计优化了热性能，使其在高电流负载下仍能保持较低的温升，提高了器件的长期可靠性。此外，其小型SOP封装节省空间，适合便携式设备和高密度电路设计。HAT2200WP还具有快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高电源转换效率。
HAT2200WP广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备（如笔记本电脑、平板电脑、智能手机）、工业控制设备、电机驱动器以及各类需要高效率P沟道MOSFET的场合。由于其高可靠性和紧凑封装，特别适用于对空间和功耗有严格要求的设计。
Si2301DS、AO4401、FDMS86101、TPCA8054-H
