HAT2114R-EL-E 时间：2025/5/7 9:28:22 阅读：9

HAT2114R-EL-E 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺设计。该器件主要用于需要高效率、低功耗和快速开关的应用场景。它具有较低的导通电阻（Rds(on)）以及优异的热性能，适用于各种电源管理电路，例如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等。
　　HAT2114R-EL-E 使用N沟道增强型技术，提供出色的电气特性和可靠性。其封装形式为行业标准的小型表面贴装类型，便于自动化装配并能有效降低系统成本。

参数

最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：14A
　　导通电阻(Rds(on))：5mΩ
　　栅极电荷(Qg)：35nC
　　开关速度：快速
　　工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
　　封装类型：TO-263-3

特性

1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，可满足高频应用需求。
　　3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
　　5. 优化的热阻抗，确保长期运行时的稳定性能。
　　6. 小型化封装，适合紧凑型设计要求。

应用

HAT2114R-EL-E 广泛应用于多种电子领域：
　　1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级控制。
　　2. 汽车电子系统的负载开关及电机驱动。
　　3. 工业设备中的逆变器与变频器。
　　4. 消费类电子产品中的电池充电管理。
　　5. LED照明驱动电路中的功率调节。
　　6. 通信设备中的高效功率分配模块。