HAT2077R-EL 时间：2025/9/7 15:51:01 阅读：4

HAT2077R-EL 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的高性能、双通道、N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于各种电源管理和功率开关应用。HAT2077R-EL采用SOP（Small Outline Package）封装，尺寸紧凑，便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　通道数：双通道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6A（每个通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：38mΩ @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

HAT2077R-EL具备多项优异的电气性能和热稳定性，适用于高效率电源转换系统。其低导通电阻特性可以显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件支持双通道并行操作，适用于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等应用。此外，其栅极驱动电压范围宽（可支持4.5V至10V），兼容多种控制电路。HAT2077R-EL在高温环境下仍能保持稳定工作，具备良好的热保护能力。
　　该MOSFET的封装形式为SOP-8，具有良好的散热性能，并且在PCB布局中占用空间小，适合便携式设备和空间受限的设计。器件内部采用沟槽结构，优化了载流子分布，从而降低了导通压降，提高了开关速度。HAT2077R-EL还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的可靠性。

应用

HAT2077R-EL广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。常见应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、LED驱动器、电机控制模块、电池充电电路以及工业自动化设备中的电源开关模块。此外，该器件也可用于高效率的负载开关和热插拔电源管理系统。由于其紧凑的封装和优异的性能，HAT2077R-EL在便携式电子产品、汽车电子系统和智能家电中也有广泛应用。