时间：2025/9/7 5:27:56
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HAT2045T-EL 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻和高开关性能的特点。该器件采用小型 TSOP 封装，适用于需要高效能和小尺寸设计的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：30mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSOP
HAT2045T-EL 具备多项优异特性，使其适用于各种功率管理应用。其低导通电阻 Rds(on) 显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件的高开关速度特性使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和负载开关。采用沟槽技术，该 MOSFET 在保持低导通电阻的同时，还具备良好的热稳定性。TSOP 封装形式则提供了较小的 PCB 占用空间，适合高密度电路设计。
此外，HAT2045T-EL 还具备良好的栅极氧化层耐压能力，支持 ±20V 的最大栅源电压，增强了其在不同工作环境下的可靠性。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级温度要求的应用场景。内置的体二极管也提供了反向电流保护功能，增强了电路的稳定性。
HAT2045T-EL 常用于电源管理系统、DC-DC 转换器、电池供电设备、负载开关、电机控制以及汽车电子等应用。由于其高效率和小尺寸特性，该器件在便携式电子产品和嵌入式系统中也得到了广泛应用。
Si2302DS, IRF7404, FDN340P
