时间：2025/9/7 16:57:12
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HAT2028RJ-EL是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的电源管理和负载开关应用。这款MOSFET属于P沟道类型，适用于需要低导通电阻和高速开关性能的电路设计。HAT2028RJ-EL采用小型表面贴装封装（SOP），适合在空间受限的设计中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：34mΩ（最大值，Vgs = 10V）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP
安装类型：表面贴装
HAT2028RJ-EL具有低导通电阻特性，这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。其P沟道设计使其非常适合用于高侧开关应用，例如电源管理、电池供电设备和负载开关控制。该MOSFET还具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在各种工业和消费类电子设备中稳定工作。此外，HAT2028RJ-EL的高速开关性能使其适用于需要快速响应的电路设计。
该器件的封装设计优化了PCB空间的利用率，同时具备良好的散热性能。东芝在功率MOSFET领域拥有丰富的经验，确保了HAT2028RJ-EL在各种工作条件下的稳定性和一致性。HAT2028RJ-EL还符合RoHS环保标准，适合环保要求较高的应用。
HAT2028RJ-EL广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关控制、电池供电设备、手持设备、工业自动化设备以及消费类电子产品中。其低导通电阻和高速开关特性使其成为需要高效能和低功耗设计的理想选择。
Si2301DS-T1-GE3, FDC6303P, AO4406A
