HAT1121R-EL-E 是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)推出的双通道高端栅极驱动器IC,专为需要高边和低边驱动能力的功率MOSFET或IGBT应用设计。该器件采用自举电源结构,能够提供较高的输出电流驱动能力,适用于电机控制、DC-DC转换器、电源管理和其它需要高压侧开关驱动的场合。其封装形式为小型表面贴装封装,适合高密度PCB设计。
供电电压范围:5V至15V
输出驱动能力:源电流/灌电流典型值为200mA/400mA
工作电压范围:最高可达700V(HS引脚)
输入逻辑类型:兼容CMOS/TTL
传播延迟时间:典型值小于500ns
上升/下降时间:典型值为80ns/60ns
工作温度范围:-40°C至+125°C
封装类型:SOP8
HAT1121R-EL-E 具有高耐压能力和良好的抗噪性能,其核心特性包括内置的死区时间控制以防止上下桥臂直通、欠压保护(UVLO)功能确保驱动信号在电源电压不足时不被触发,从而提高系统的可靠性。
该器件采用瑞萨独有的高压工艺制造,能够在高温和高压环境下稳定工作。其输入控制信号与标准CMOS/TTL电平兼容,便于与微控制器或其他控制电路连接。此外,HAT1121R-EL-E的封装设计紧凑,有助于节省PCB空间,适用于各种功率电子设备。
由于其内置的自举二极管,该IC在高边驱动应用中可以简化外部电路设计,减少外围元件数量,提高系统集成度和可靠性。
HAT1121R-EL-E 广泛应用于需要高边和低边驱动能力的功率电子系统中。典型应用包括无刷直流电机驱动、电动工具、工业自动化设备、DC-DC转换器、UPS系统以及各种类型的功率逆变器。此外,该器件也适用于家用电器中的电机控制模块,如空调压缩机、洗衣机电机驱动等。
由于其高可靠性和紧凑的封装形式,HAT1121R-EL-E 在电动车、储能系统和光伏逆变器等新能源领域也有广泛的应用前景。该芯片的设计使其能够在高温和高电压条件下稳定运行,满足工业级和汽车电子系统的严苛要求。
HAT1121R-EL-E的替代型号包括HAT1120R-EL-E、IR2104S、TC4420、LM5109B等类似功能的高端驱动器IC。