时间：2025/7/9 9:23:04
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HAT1047R是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种电源管理、信号切换和功率控制应用。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关特性，从而提高系统效率并降低功耗。
由于其出色的性能和可靠性，HAT1047R在消费电子、工业设备以及汽车电子领域中得到了广泛应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：5.8A
导通电阻Rds(on)：35mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：1.5W
结温范围Tj：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252(DPAK)
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，适合开关电源和DC-DC转换器应用。
3. 高雪崩能力，增强了器件的鲁棒性和抗浪涌能力。
4. 小型化封装设计，节省电路板空间，便于紧凑型设计。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
1. 开关电源(SMPS)中的同步-DC转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动和负载切换。
4. 消费类电子产品中的电池保护。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率控制。
6. 汽车电子中的点火系统和灯光控制。
IRLZ44N, AO3400, FDN340P
