HAL825UT-K 时间：2025/9/3 22:20:03 阅读：3

HAL825UT-K 是由 Melexis 公司生产的一款双极性霍尔效应传感器集成电路。该芯片专为检测磁场的方向和强度而设计，广泛用于无接触位置检测、速度检测、接近检测以及电机控制等应用。HAL825UT-K 采用 CMOS 工艺制造，具有低功耗、高灵敏度和高抗干扰能力的特点，适用于工业自动化、汽车电子和消费类电子产品。

参数

工作电压：2.7V 至 5.5V
　　工作电流：典型值为 10μA（待机模式）
　　输出类型：数字输出（开漏输出）
　　磁感应范围：±6mT（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：TSOT（Thin Small Outline Transistor）

特性

HAL825UT-K 的核心特性之一是其双极性霍尔效应传感技术，使其能够检测磁场的方向变化。芯片内置的信号调节电路可对霍尔电压进行放大和处理，从而提供稳定的数字输出信号。
　　该芯片具有低功耗特性，在待机模式下仅消耗微安级别的电流，适用于电池供电设备和对功耗要求较高的应用。此外，HAL825UT-K 提供了较高的磁灵敏度，能够检测微弱的磁场变化，确保在复杂环境中依然具有良好的性能。
　　其高抗静电（ESD）能力和宽工作温度范围使其在工业和汽车应用中表现出色，例如用于检测旋转编码器的位置或电机转速。HAL825UT-K 还具有良好的温度稳定性，能够在不同温度条件下保持一致的磁响应特性，减少了因温度漂移带来的误差。
　　HAL825UT-K 的 TSOT 封装形式使其体积小巧，便于在紧凑的电路设计中使用，同时提供了良好的散热性能，确保在高温环境下稳定运行。

应用

HAL825UT-K 常用于无接触位置检测和速度测量，例如在汽车电子系统中用于检测车门、车窗或座椅的位置状态。在电机控制系统中，它可用于检测电机转子的位置，实现精确的速度和位置控制。
　　此外，HAL825UT-K 也广泛应用于消费类电子产品，如智能手环、智能家居设备和无刷直流电机中，用于检测运动状态或开关状态。在工业自动化领域，该芯片可用于检测机械部件的运动方向和速度，实现自动控制和监测功能。
　　由于其低功耗和高灵敏度特性，HAL825UT-K 也适用于电池供电的便携式设备，如智能门锁、无线传感器和手持式测量仪器。