容量：32Gb（4GB）
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　电压：1.1V（VDD）/ 1.8V（VDDQ）
　　封装：153-ball FBGA
　　工作温度：-40°C至85°C
　　数据速率：3200Mbps
　　组织结构：x32
　　时钟频率：1600MHz

H9TU32A4GDAC-LRKGM 的主要特性之一是其低功耗设计，适用于电池供电设备，能够有效延长设备的续航时间。其1.1V核心电压和1.8V I/O电压的组合在保证性能的同时降低了整体功耗。此外，该芯片支持多种低功耗模式，如深度掉电模式、自刷新模式等，进一步优化了能耗管理。
　　该DRAM芯片采用了x32的组织结构，提供更高的数据吞吐能力，适用于需要高带宽的应用场景，如高性能计算、图形处理和多媒体播放。其3200Mbps的数据速率和1600MHz的时钟频率确保了快速的数据存取能力，满足现代应用对内存性能的高要求。
　　封装方面，H9TU32A4GDAC-LRKGM采用153-ball FBGA封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局，并增强了设备的可靠性。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在断电或低功耗状态下依然能够保持稳定，提高了系统的整体稳定性。

H9TU32A4GDAC-LRKGM 主要应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及需要高性能和低功耗内存的便携式电子设备。由于其高带宽和低功耗特性，该芯片也非常适合用于图形处理单元（GPU）、多任务处理系统以及实时数据处理设备。此外，它还可用于工业自动化设备、车载信息娱乐系统、网络设备等对内存性能和稳定性有较高要求的场景。由于其紧凑的封装尺寸，H9TU32A4GDAC-LRKGM 非常适合用于空间受限的电子产品设计。

H9TQ32A8JDAC-LRHG, H9TKNNN8JTACUR_KUM