时间：2025/9/2 6:05:58
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H9TQ64A8GTMCUR是一款由SK Hynix生产的高密度DRAM芯片，属于移动型LPDDR4 SDRAM类别，广泛应用于高性能移动设备、智能终端和嵌入式系统中。这款芯片以其低功耗、高带宽和高密度存储特性受到设计工程师的青睐。
容量：64Gbit（8GB）
类型：LPDDR4 DRAM
封装形式：FBGA
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
位宽：16位
工作温度范围：-40°C至85°C
H9TQ64A8GTMCUR具有低电压运行的特点，能够在1.1V的电压下保持稳定的工作状态，有效降低设备整体功耗，延长电池续航时间。该芯片支持高数据传输速率，最大可达3200Mbps，提供快速的数据访问能力，满足高要求的图形处理和数据密集型应用。此外，它具备16位的数据总线宽度，进一步提升了数据吞吐能力，适用于需要高性能内存的设备。H9TQ64A8GTMCUR的封装形式为FBGA，有助于节省电路板空间，并且具有良好的热管理和电气性能。这款DRAM芯片支持多种工作模式，包括自刷新、温度补偿自刷新和深度掉电模式，以适应不同使用场景下的功耗需求。其工作温度范围为-40°C至85°C，适用于各种严苛的环境条件。
H9TQ64A8GTMCUR常用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及高性能嵌入式系统。其低功耗和高带宽特性使其特别适合用于移动设备的主内存，支持流畅的多任务处理和高质量的图形渲染。此外，该芯片也适用于需要高性能和低功耗内存的工业控制设备、车载系统和物联网设备。
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