时间：2025/9/2 11:04:42
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H9TQ64A8GTMCUR-KUM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别，专为移动设备和嵌入式系统设计。该型号支持低功耗运行模式，适用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备等对功耗敏感的应用场景。这款芯片采用了先进的制造工艺，提供了较高的存储密度和数据传输速率，同时保持较低的能耗。
类型：DRAM
子类型：Mobile LPDDR3
容量：4Gb（512MB）
封装：186-ball BGA
电压：1.8V / 3.3V
数据速率：800Mbps
位宽：x16
工作温度：-40°C ~ 85°C
H9TQ64A8GTMCUR-KUM 具备出色的低功耗特性，适用于需要延长电池寿命的便携式电子设备。其内部架构支持多种节能模式，包括自动刷新、自刷新和深度掉电模式，可以根据系统需求动态调整功耗。
该芯片采用了186-ball BGA封装形式，具备良好的电气性能和热稳定性，适合在紧凑的PCB布局中使用。此外，其支持800Mbps的数据速率，能够提供高达6.4GB/s的带宽，满足高性能应用的数据处理需求。
这款移动DRAM芯片的工作温度范围为-40°C至85°C，能够在各种恶劣环境条件下稳定运行。其电压设计为1.8V/3.3V，兼容多种电源管理系统，确保了在不同应用场景下的兼容性和稳定性。
H9TQ64A8GTMCUR-KUM还支持高可靠性的数据存储和快速访问，具备优异的抗干扰能力和信号完整性设计，确保在复杂电磁环境中也能保持稳定性能。
H9TQ64A8GTMCUR-KUM 主要应用于高性能移动设备，如智能手机和平板电脑，作为主内存使用。此外，它也适用于嵌入式计算系统、工业控制设备、车载信息娱乐系统以及需要高效能低功耗内存的物联网设备。
H9TQ64A8GTMBCUR-KUM, H9TQ64A8GTMLUR-KUM
