时间：2025/9/2 6:21:38
阅读：9
H9TQ26ADFTMCUR-KUM 是一款由SK Hynix（海力士）制造的高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别，专为低功耗、高性能的移动设备和嵌入式系统设计。该芯片采用LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）技术，具有高带宽和低能耗的特点，适用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备等对功耗和性能有较高要求的应用场景。
容量：4GB (32Gb)
组织结构：x16
电压：1.1V
频率：3200Mbps
封装类型：FBGA
引脚数：153-Pin
工作温度：-40°C ~ 85°C
数据宽度：16位
工艺技术：20nm
封装尺寸：9.3mm x 11.5mm
H9TQ26ADFTMCUR-KUM 是一款采用先进LPDDR4技术的高性能DRAM芯片，具备低功耗与高带宽的双重优势。其核心特性包括：
1. **低功耗设计**：该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down Mode）、自刷新模式（Self-Refresh Mode）和预充电电源下降模式（Precharge Power-Down Mode），非常适合用于对电池寿命要求较高的移动设备。
2. **高速数据传输**：工作频率支持高达3200Mbps的数据速率，提供出色的内存带宽，有助于提升系统整体性能，尤其适用于处理高分辨率图形和多任务操作。
3. **紧凑型封装**：采用153-pin FBGA封装，尺寸为9.3mm x 11.5mm，适用于空间受限的便携式电子产品设计。
4. **宽温度范围**：支持-40°C至85°C的工作温度范围，确保在各种环境条件下都能稳定运行，适用于工业级和消费级应用。
5. **兼容性与稳定性**：符合JEDEC标准，具备良好的兼容性和稳定性，可与其他标准LPDDR4控制器和主控芯片无缝对接。
6. **先进的制造工艺**：采用20nm制程技术，提高芯片密度的同时降低功耗，提升能效比。
H9TQ26ADFTMCUR-KUM 主要应用于需要高性能和低功耗内存解决方案的移动设备和嵌入式系统，包括：
? 智能手机和平板电脑
? 可穿戴设备（如智能手表、健康监测设备）
? 高端便携式游戏设备
? 高性能嵌入式系统和工业控制设备
? 无人机、智能摄像头和车载娱乐系统
? 5G通信模块和边缘计算设备
H9TQ27ADFTMCUR-KUM, H9TP34ADFTMCUR-KUM, H9TR16ADFTMCUR-KUM
