类型：DRAM
　　子类型：LPDDR4X SDRAM
　　容量：8Gb
　　组织结构：x16
　　工作电压：1.1V/1.8V
　　接口标准：JEDEC兼容
　　封装类型：BGA
　　封装尺寸：134-ball
　　时钟频率：最大可达2133MHz
　　数据速率：4266Mbps
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

H9TQ26ADFTBCUR-KUMR 采用先进的LPDDR4X技术，具有出色的能效和性能表现。其低电压设计（1.1V核心电压和1.8V I/O电压）有助于降低功耗，特别适合电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　该芯片支持高数据传输速率，达到4266Mbps，能够满足高分辨率显示、图形处理和复杂计算任务对内存带宽的需求。此外，它还支持多种节能模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，以进一步优化功耗管理。
　　在可靠性和兼容性方面，H9TQ26ADFTBCUR-KUMR 符合JEDEC标准，确保了与主流SoC（系统级芯片）和控制器的广泛兼容性。其134-ball BGA封装形式支持高密度PCB布局，适合现代紧凑型电子设备的设计需求。
　　此DRAM芯片还具备出色的温度适应能力，能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。

H9TQ26ADFTBCUR-KUMR 主要用于高端移动设备、智能穿戴、平板电脑、AR/VR设备等需要高性能内存的场景。此外，它也适用于工业控制系统、车载信息娱乐系统、网络设备和边缘计算设备，为这些设备提供高速数据存储和处理能力。
　　在嵌入式系统中，这款芯片可作为主内存用于运行操作系统、应用程序和缓存数据，支持多任务处理和高性能图形渲染。其低功耗特性也使其成为物联网（IoT）设备和远程传感设备的理想选择。

H9TQ27ABDTMCUR-ACL + H9TQ27ABDTMCUR-ACR