H9TQ18ABJTMCUR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于低功耗DDR3(LPDDR3)系列,广泛应用于移动设备和嵌入式系统中,如智能手机、平板电脑、便携式电子产品等。H9TQ18ABJTMCUR 具有较高的存储密度和较快的数据传输速率,同时保持较低的功耗,非常适合对能效和性能有较高要求的设备。
型号: H9TQ18ABJTMCUR
制造商: SK Hynix
类型: LPDDR3 SDRAM
容量: 2Gb (256MB)
数据宽度: x16
电压: 1.8V/1.5V
时钟频率: 高达 667MHz
数据速率: 1334Mbps
封装类型: BGA
封装尺寸: 100-ball FBGA
工作温度: -40°C 至 +85°C
H9TQ18ABJTMCUR 芯片具备多项先进的特性和设计优势。首先,该芯片采用了LPDDR3技术,支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式和自刷新模式,有效延长了设备的电池续航时间。
其次,H9TQ18ABJTMCUR 的数据传输速率达到1334Mbps,能够满足高速数据处理的需求,提升设备的整体性能。此外,该芯片支持1.8V和1.5V的双电压操作,使其在不同的工作条件下都能保持稳定运行。
这款DRAM芯片还具有较高的可靠性和稳定性,适用于各种严苛的工作环境。其100-ball FBGA封装形式,不仅减小了PCB板的空间占用,还提高了散热性能,有助于提升系统的整体效率。
H9TQ18ABJTMCUR 支持自动刷新和自刷新功能,减少了外部控制器的负担,并降低了功耗。同时,它还支持ZQ校准功能,确保输出驱动阻抗的稳定性,提高了信号完整性。
总的来说,H9TQ18ABJTMCUR 是一款性能优异、功耗低、稳定性强的DRAM芯片,特别适用于需要高效能和低功耗的移动设备和嵌入式系统。
H9TQ18ABJTMCUR 主要应用于各种高性能、低功耗的电子设备和系统中。其中包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等移动电子产品,这些设备对电池续航能力和处理速度有较高要求。此外,该芯片也可用于嵌入式系统,如工业控制设备、汽车电子系统、便携式医疗设备等,提供稳定可靠的数据存储和处理能力。
在多媒体设备中,如数字电视、机顶盒、视频监控设备等,H9TQ18ABJTMCUR 也可作为高速缓存或主存储器使用,提升系统的运行效率和响应速度。由于其优异的低功耗特性,该芯片还适合用于物联网(IoT)设备和边缘计算设备,以满足长时间运行和节能的需求。
此外,H9TQ18ABJTMCUR 也可用于高性能计算模块和嵌入式开发平台,为开发者提供高效的内存解决方案,支持复杂的数据处理和图形渲染任务。
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