时间：2025/9/2 9:18:26
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H9TQ18ABJTMCUR-KTM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的DRAM芯片，主要用于移动设备和嵌入式系统中。这款DRAM芯片采用BGA（球栅阵列）封装技术，具有较小的体积和较高的稳定性，适合应用于对空间和功耗要求较高的设备，如智能手机、平板电脑和便携式电子产品。
类型：DRAM
容量：2GB
封装：BGA
工作电压：1.8V / 2.5V
数据速率：166MHz
接口类型：x16
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
H9TQ18ABJTMCUR-KTM具备低功耗特性，适合用于电池供电设备，有助于延长设备的使用时间。其BGA封装形式提供了良好的电气性能和机械稳定性，确保了在复杂环境下的可靠运行。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不丢失数据的情况下降低功耗。其166MHz的数据传输速率能够满足大多数嵌入式应用的性能需求，同时具备较高的稳定性和耐用性，适合在工业环境中使用。
该芯片还具备良好的兼容性，能够与多种主控芯片配合使用，并支持标准的DRAM控制时序，便于集成到现有系统中。其工业级温度范围使其能够在极端环境下稳定运行，适用于车载系统、工业自动化设备和户外电子设备等应用场景。
H9TQ18ABJTMCUR-KTM广泛应用于移动通信设备、嵌入式系统、工业控制设备、车载电子系统、便携式消费电子产品等领域。其低功耗和小体积特性使其特别适用于智能手机、平板电脑、GPS导航设备、智能穿戴设备等需要高集成度和低功耗设计的电子产品。此外，该芯片还可用于网络设备、医疗仪器和安防监控系统等需要长时间稳定运行的设备中。
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