时间：2025/9/1 13:39:50
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H9TQ18A8JTMCUR-KTM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器通常用于需要高速数据访问的应用，例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他消费类电子产品。该型号的DRAM采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，具有高密度和高效能的特点。H9TQ18A8JTMCUR-KTM 的容量为2Gb（Gigabit），工作电压为1.8V，支持LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）标准，适用于低功耗应用场景。
容量：2Gb
类型：DRAM
电压：1.8V
接口标准：LPDDR2
封装类型：FBGA
封装尺寸：100-ball FBGA
工作温度：-40°C ~ +85°C
数据速率：800Mbps
组织结构：x16
H9TQ18A8JTMCUR-KTM 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，专为便携式设备和嵌入式系统设计。它支持LPDDR2标准，能够在较低的电压下运行，从而减少设备的功耗，延长电池寿命。此外，这款芯片具有较高的数据传输速率，可达800Mbps，确保了设备在处理大量数据时的流畅性和稳定性。
该芯片的封装形式为100-ball FBGA，这种封装方式有助于提高封装密度，同时提供良好的电气性能和散热性能，确保芯片在高负载运行时的可靠性。
由于其紧凑的封装和低功耗设计，H9TQ18A8JTMCUR-KTM 非常适合用于空间受限的移动设备，如智能手机和平板电脑，同时也能满足工业级温度范围（-40°C至+85°C）的要求，适用于多种环境条件下的应用。
H9TQ18A8JTMCUR-KTM 主要用于需要低功耗和高性能存储的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。此外，它也可以应用于嵌入式系统、车载电子设备、网络设备以及消费类电子产品中。由于其在低电压下依然保持高效能的特性，这款DRAM芯片非常适合用于需要长时间运行且对电池寿命有较高要求的设备。
H9TQ18A8JUMCUR-KUM, H9TQ17A8JDTMUR-NCM
